意法半導體第三代SiC平臺 引領電晶體FoM的進步

意法半導體第三代SiC平臺 引領電晶體FoM的進步
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業界認可的FoM質量因數〔導通電阻(Ron)x 晶片尺寸和Ron x 閘極電荷(Qg)〕表示電晶體效能、功率密度和開關效能。使用普通矽技術以改善FoM變得越來越困難,因此SiC技術是改善FoM的關鍵。意法半導體的第三代SiC產品將引領電晶體FoM的進步。

碳化矽MOSFET的單位面積耐受電壓額定值相較矽基MOSFET高,是電動汽車及快速充電基礎設施的最佳選擇。SiC MOSFET還有一個寄生二極體之開關速度非常快的優點,而電流雙向流動特性適用於電動汽車對外供電(Vehicle-to-X,V2X)車載充電器(On-Board Charger,OBC),可從車載電池取電供給基礎設施。此外,SiC電晶體具備使用在高開關頻率的能力,爲在電源系統中使用尺寸更小的被動元件提供了可能性,可讓車子使用更精密且輕量化的電子設備。這些產品優勢還有助於降低工業應用中的購置成本。

意法半導體第三代產品提供多種封裝,包含裸晶圓、離散功率封裝(STPAK、H2PAK-7L、HiP247-4L和HU3PAK)及ACEPACK系列的功率模組。這些封裝爲設計者提供創新功能,例如,專門設計的冷卻片可簡化晶片與電動汽車應用的基板和散熱器的連接,故設計人員可根據應用選擇專用晶片,例如,電動汽車牽引逆變器、車載充電器、DC/DC轉換器、電子空調壓縮機,以及工業應用,例如,太陽能逆變器、儲能系統、馬達驅動裝置和電源供應。

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